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外加磁场方向和缺陷部平行时，比平行时产生的漏磁场要大。（)
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第1题
关于漏磁场的叙述，下列哪些不对（）
A.用磁导率最大时的磁场强度Hμm磁化工件时，漏磁场最大
B.裂纹的宽深比越大，漏磁场越大
C.磁场方向与缺陷延伸方向平行时，漏磁场最大
D.缺陷埋藏深度越大，漏磁场越小
第2题
下列关于漏磁场的叙述中，正确的是：()
下列关于漏磁场的叙述中，正确的是：（)
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A、缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大
B、漏磁场的大小与工件的材质无关
C、漏磁场的大小与缺陷的深度比有关
D、工件表层下缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大
第3题
下列关于漏磁场的叙述，正确的是：()
下列关于漏磁场的叙述，正确的是：（)
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A、内壁缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大
B、缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比
C、表面缺陷的漏磁场，随离开表面的距离增大而急剧下降
D、有缺陷的试件，才会产生漏磁场
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