A.晶粒内部
B.晶界
C.晶体表面
D.位错
第1题
A.位错扩散
B.表面扩散
C.晶界扩散
D.体扩散
第2题
A.晶界易腐蚀,熔点低;
B.当能量达到相变时,晶界处优先产生新的转变物;
C.原子在晶界上扩散比在晶粒内部迅速;
D.在室温下晶界处的硬度·强度要高于晶内
第3题
A.KNO3晶体
B.NaCl晶体
C.KCl晶体
第4题
A.Ⅰ+Ⅴ
B.Ⅰ+Ⅱ+Ⅲ+Ⅳ
C.Ⅰ+Ⅲ+Ⅳ
D.Ⅱ
第5题
A.冷凝体
B.共晶体
C.结晶体
D.晶粒体
第6题
A.晶格
B.晶胞
C.晶体
D.晶型
第7题
A.位错
B.空位
C.间隙原子
D.晶界
第8题
A.树枝晶方式生长
B.旋转孪晶生长
C.反射孪晶生长
D.螺旋位错生长
第9题
A.正确
B.错误
此题为判断题(对,错)。
第10题
A.最有利
B.最不利
C.无关
D.稍不利
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